安徽化合物半导体芯片测试

1)南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司太赫兹放大器系列产品，是一项可提供太赫兹芯片解决方案的创新科技成果。太赫兹技术是一项近年来备受关注的前沿技术，具有广泛的应用潜力。作为具有核心竞争力的创新科技企业，公司依托其强大的研发实力和创新能力，成功地实现了太赫兹芯片的自主研发。太赫兹放大器系列产品的应用前景广阔，太赫兹技术在通讯、安全检测、材料表征等众多领域都具有重要意义。公司将继续不断创新，推动太赫兹行业的发展。芯谷高频研究院的CVD用固态微波功率源产品可直接与各类射频CVD设备直接集成，应用于金刚石等材料的生长。安徽化合物半导体芯片测试

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司的CVD用固态微波功率源产品具有以下特点：采用第三代氮化镓半导体，具有高频率一致性和稳定性, 且具有集成度高，尺寸小、寿命高等特性；可直接与各类射频CVD设备直接集成，应用于金刚石等材料的生长；可设计与研制不同工作模式的氮化镓基固态微波功率源，满足各类射频CVD设备对高可靠、高集成、高微波特性的技术需求，提升CVD设备的稳定性；主要用于各类射频CVD设备，为其提供微波功率，可扩展应用为微波消毒、微波医疗等领域；本公司可依据客户要求进行各类微波功率大小和功率频率的设计与开发，相对传统微波功率源具有性能高、稳定性好的特性。江苏太赫兹器件及电路芯片加工芯谷高频器件研究院可完成芯片的研发、制造、测试等，可进行单步或多步工艺定制开发，可满足多种工艺要求。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司致力于太赫兹芯片的研发工作，并具有较强的实力和研发基础。公司的研发团队在太赫兹芯片领域具有丰富的经验和专业知识。团队成员们始终保持着创新的精神，不断推动太赫兹芯片技术的发展。研究院拥有先进的研发设备仪器，可以满足各类研发需求，为研发人员提供了较好的创新条件。公司在太赫兹芯片研发方面取得了许多重要的成果和突破，研发出了一系列具有先进水平的太赫兹芯片产品。研究院在太赫兹芯片研发领域与国内外多家企业和研究机构建立了紧密的合作关系。同时，公司积极参与国内外学术交流活动，吸纳国际先进的理论和技术，为自身的研发工作注入了新的活力。研究院以科技创新为驱动力，凭借坚实的研究实力和严谨的研发态度，为推动太赫兹芯片技术的进一步发展做出了贡献。未来，公司将继续秉持着开放、合作和创新的精神，为推动科技进步做出更大的贡献。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司的热物性测试仪产品能够准确、高效地测试材料的热物性，为研究人员提供数据支撑。公司的热物性测试仪产品无论在技术指标、测试精度还是稳定性方面都达到了先进水平。该设备操作简单方便，准确性高，能够满足多种测试需求，包括热导率分析、热阻分析等。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司的热物性测试仪产品可以解决材料的热评估难题，市场认可度高，将为科研工作注入新的活力。芯谷高频研究院在背面工艺方面，拥有键合机、抛光台、磨片机等，可以进行晶片的减薄、抛光以及划片工艺。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台，针对太赫兹测试，可提供先进的测试设备和专业的技术服务。研究院测试设备可以达到500GHz的测试频率，在这个范围内，研究院可以对各种高频器件进行测试和分析。研究院拥有一支技术精湛、经验丰富的团队，公司能够根据客户的需求，进行实验设计和数据分析，提供准确可靠的测试结果。研究院的太赫兹测试服务不仅能够帮助客户进行性能评估，还能够为客户提供良好的产品设计和优化建议。研究院致力于为客户提供优良的技术服务，帮助公司快速实现技术创新。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台可为客户提供芯片测试服务。江西热源芯片测试

芯谷高频研究院自主研发的太赫兹固态器件及单片集成电路，频率覆盖包括140GHz、220GHz、300GHz、340GHz等。安徽化合物半导体芯片测试

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供Si基GaN微波毫米波器件与芯片技术开发服务，该芯片相对于Si LDMOS，具有工作频率高、功率大、体积小等优势；相对于传统SiC基GaN芯片，具备低成本、高密度集成、大尺寸等优势；适应于C、Ka、W等主流波段的攻放、开关、低噪放等芯片；南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司可提供定制化的Si基GaN射频器件和电路芯片研制与代工服务；该芯片可用于5G通信基站、高效能源、汽车雷达、手机终端、人工智能等领域。安徽化合物半导体芯片测试